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有效的實現低閾值小電壓mos管

發布日期:2023-03-02 點擊次數:20
針對現有技術中的不足提出一種有效的實現低閾值電壓MOS 器件的方法,其通過改變原有器件的層次和結構,可在不增加制版和光刻的前提下實現低 閾值電壓Vt MOS管的制作。為
實現發明目的,本發明采用了如下技術方案一種有效的實現低閾值電壓MOS器件的方法,其特征在于,該方法為在形成MOS 器件的過程中,修改MOS管版圖結構,令MOS器件只使用N阱
或P阱的注入作為溝道的摻雜, 降低溝道濃度,實現MOS管閾值電壓Vt的降低。進一步地講,該方法具體為對于NMOS或PMOS器件,在需要低閾值電壓Vt器件處,去除MOS管中gate區域
的 Nplus或Pplus,P注入和N+的注入或N注入和P+的注入均只在器件源極與漏極進行,溝 道區域只有P-或N-的注入。與現有技術相比,本發明具有下列優點該實現低閾值電壓MOS器
件的方法操作 簡單,容易實現,可降低低閾值電壓MOS器件的制造成本,并縮短生產周期?,F有技術中NMOS的結構示意圖;為現有技術NMOS剖面結構示意圖;發明一較佳實施例中低
閾值電壓MOS器件的結構示意圖。
具體實施例方式
在典型的CMOS工藝中,NMOS的結構,在該器件中,主要的注入有3 種p-注入,P型注入以及N+注入;P-注入用以形成P阱,同時也是MOS管B端。它使用版圖中的Pwell層制版。P-決定
了器件襯底的電荷濃度,亦是溝道濃度。P型注入用以調節溝道電荷濃度,作調節器件閾值電壓Vt用。使用版圖中的Nplus 版。該層增大了溝道的電荷濃度,使溝道形成反型更難,
上調了閾值電壓vt。N+注入用以形成MOS器件源漏。也使用版圖中的Nplus版。由于此次注入在多晶 硅柵之后,被硅柵所阻擋,溝道區域沒有注入,因此它與器件的閾值電壓Vt無
關。由上所知,在形成上述器件的過程中,Nplus版使用了 2次,一次作為調節溝道離 子濃度的注入,一次作為形成器件源極與漏極的注入。本發明通過改變了該器件的結構,在改
變溝道濃度的同時,保持了原有器件源端 和漏端的離子濃度,實現了低閾值電壓的器件,,即在需要低閾值電壓Vt器件的地方,去除了 MOS管中gate區域的Nplus。P注入和 N+的注
入都只在器件源漏進行,溝道區域只有P-的注入,閾值電壓Vt只由P-注入的電荷 濃度決定,自然就減小了。而源極漏極區域仍和原有器件一樣,沒有影響。對于PMOS器件同樣只要
除去相應的Pplus即可實現Vt的降低。本發明可運用于所有需要低閾值電壓Vt MOS器件電路中。比如,若某電路中需一 電容,加在其兩端電壓在0. 7V,如使用典型工藝低閾值電壓
Vt為0. 7V左右的MOS管作為電 容,則該MOS工作在耗盡區或弱反型區域,電容量將急劇減小,可能影響電路正常工作。在 此只需使用由本發明所實現的低閾值電壓VtMOS管,使該器
件在0. 7V時處在反型狀態,即 可保持MOS管有足夠的電容量。以上僅是本發明的具體應用范例,對本發明的保護范圍不構成任何限制。凡采用 等同變換或者等效替換而形成的技術
方案,均落在本發明權利保護范圍之。
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