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MOS管主要參數有哪些?

發布日期:2022-11-15 點擊次數:46
1. 柵源擊穿電壓BVGS-在增加柵源電壓過程中,使柵極電流IG由零開端劇增時的VGS,稱為柵源擊穿電壓BVGS。
2.開啟電壓VT-開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開端構成導電溝道所需的柵極電壓;-規范的N溝道MOS管,VT約為3~6V;-經過工藝上的改良,能夠使MOS管的VT值降到2~3V。
3. 漏源擊穿電壓BVDS-在VGS=0(加強型)的條件下 ,在增加漏源電壓過程中使ID開端劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS-ID劇增的緣由有下列兩個方面:
(1)漏極左近耗盡層的雪崩擊穿
(2)漏源極間的穿通擊穿-有些MOS管中,其溝道長度較短,不時增加VDS會使漏區的耗盡層不時擴展到源區,使溝道長度為零,即產生漏源間的穿通,穿通后,源區中的多數載流子,將直承受耗盡層電場的吸收,抵達漏區,產生大的ID。
4. 直流輸入電阻RGS-即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比-這一特性有時以流過柵極的柵流表示-MOS管的RGS能夠很容易地超越1010Ω。
5. 低頻跨導gm-在VDS為某一固定數值的條件下 ,漏極電流的微變量和惹起這個變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導-gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制才干-是表征MOS管放大才干的一個重要參數-普通在非常之幾至幾mA/V的范圍內。
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